(4)縮小保護電路組件:

將過充電和短路保護用的延遲電容給內(nèi)包到保護IC里面

保護IC的要求:

(A)過度充電保護的高精化:

當(dāng)鋰離子電池有過度充電狀態(tài)時，為防止因溫度上升所導(dǎo)致的內(nèi)壓上升，須截止充電狀態(tài)。此保護IC即檢視電池電壓，當(dāng)偵測到過度充電時，則過度充電偵測的power-MOSFET使之OFF而截止充電。此時所應(yīng)注意者，就是過度充電的檢測電壓的高精度化，在電池充電時，使電池充電到飽滿的狀態(tài)是使用者很在意的問題，同時，兼顧到安全性的問題，就得在達到容許電壓時截止充電狀態(tài)。要同時符合這兩個條件，就要有非常高精度的偵測器，目前精度為25mV，但將來勢需有更精度的要求。

(B)減低保護IC的耗電流達到過度放電保護目的:

已充過電的鋰離子電池電隨著使用時間，電池電壓會漸減，最后低到規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)值以下。此時就需要再度充電。若未充電而繼續(xù)使用的話，恐就無法再充電了(過放電狀態(tài))。而為防止過放電狀態(tài)，保護IC即要偵測電池電壓的狀態(tài)，一旦到達過放電偵測電壓以下，就得使放電一方的power-MOSFETOFF而截止放電。但此時電池本身仍有自然放電及保護IC的消費電流存在，因此需要使保護IC的耗電流降到最低的程度。

(C)過電流/短路保護需有低偵測電壓及高精度的要求:

因不明原因?qū)е露搪范写箅娏骱膿p時，為確保安全而使之停止放電。在過電流的偵測是以powerMOS的Rds(on)為感應(yīng)阻抗，以監(jiān)視其電壓的下降，此時的電壓若比過電流偵測電壓還高時即停止放電。為了使powerMOS的Rds(on)在充電電流與放電電流時有效的應(yīng)用，需使該阻抗值盡量低，(目前約20mΩ~30mΩ)。如此，過電流偵測電壓就可較低。

(D)實現(xiàn)耐壓值:

電池包與充電器連接時瞬間會有高壓產(chǎn)生,因此保護IC因具備有"耐高壓的要求(Ricoh的保護IC即可承受到28V)

(E)低耗電:

當(dāng)?shù)竭_保護時,其靜態(tài)耗電流必須要小(0.1uA)

(F)零伏可充電:

有些電池在存放的過程中可能因為放太久或不正常的原因?qū)е码妷旱偷?V,故保護IC需要在0V也可以充電的動作

保護IC功能未來發(fā)展

未來的發(fā)展將如前述，提高偵測電壓的精度、降低保護IC的耗電流及包裝、整合MOS、提高誤動作防止功能等，同時充電器連接端子的高耐壓化也是開發(fā)的重點。

包裝方面,目前已由SOT23-6漸漸的朝向SON6,將來還有CSp的package,甚至COB產(chǎn)品的出現(xiàn),用以滿足現(xiàn)在所強調(diào)的輕薄短小。

而保護IC也不是所有的功能都一定必須要用的,可根據(jù)不同的鋰電池材料開發(fā)出單一保護(如:只有過充保護或過放保護功能),可大大的減少成本及空間,這對我們來說可未嘗不是一件好事。

當(dāng)然，功能組件單晶化是一致的目標(biāo)，如目前行動電話制造商都朝向?qū)⒈ＷoIC、充電電路、電源管理IC等外圍電路集成單芯片，與邏輯IC構(gòu)成雙芯片的芯片組，但目前要使powerMOS的開路阻抗降低，難以與其它IC合組，即使以特殊技術(shù)制成單芯片，恐怕成本將會過高，因此，保護IC的單晶化將需一段時間來解決。