射頻（RF）和微波放大器在特定偏置條件下可提供最佳性能。偏置點(diǎn)所確定的靜態(tài)電流會(huì)影響線性度和效率等關(guān)健性能指標(biāo)。雖然某些放大器是自偏置，但許多器件需要外部偏置并使用多個(gè)電源，這些電源的時(shí)序需要加以適當(dāng)控制以使器件安全工作。

接下來，我們主要來說說偏置時(shí)序控制要求。

電源時(shí)序控制

使用外部偏置放大器時(shí)，電源時(shí)序控制非常重要，原因如下：

1.不遵守正確的電源時(shí)序會(huì)影響器件的穩(wěn)定性。超過擊穿電壓可能會(huì)導(dǎo)致器件立即失效。當(dāng)超過邊界條件的狀況多次發(fā)生且系統(tǒng)承受壓力時(shí)，長(zhǎng)期可靠性會(huì)降低。此外，連續(xù)違反時(shí)序控制模式會(huì)損壞片內(nèi)保護(hù)電路并產(chǎn)生長(zhǎng)期損害，導(dǎo)致現(xiàn)場(chǎng)操作故障。

2.不僅在上電和掉電期間，而且在常規(guī)工作期間優(yōu)化偏置電平，可以改善射頻放大器的性能，具體情況取決于配置和應(yīng)用要求。對(duì)于某些應(yīng)用，可以改變放大器的射頻性能以適應(yīng)不同的現(xiàn)場(chǎng)情況。例如，在雨天可以提高輸出功率以擴(kuò)寬覆蓋范圍，在晴天可以降低輸出功率。放大器的外部柵壓控制可以實(shí)現(xiàn)這些功能。

ADI擁有各種各樣的射頻放大器，許多射頻放大器是基于耗盡型高電子遷移率（pHEMT）技術(shù)。該工藝中使用的晶體管通常需要電源來為漏極引腳和柵極引腳供電。此靜態(tài)漏極電流與柵極電壓相關(guān)。

典型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)工藝的典型IV特性參見圖1。

圖1.典型FET工藝的典型IV特性

隨著柵源電壓(VGS)提高，更多電子進(jìn)入溝道，產(chǎn)生更高的漏源電流(IDS)。

另外，隨著漏源電壓(VDS)提高，拉動(dòng)電子的電場(chǎng)力會(huì)變得更大，因而漏源電流也會(huì)增大（在線性區(qū)間中）。

在實(shí)際放大器中，由于溝道長(zhǎng)度調(diào)制等效應(yīng)，可將這些放大器大致歸為兩類：自偏置放大器和外部偏置放大器。

自偏置放大器

自偏置放大器有一個(gè)內(nèi)部電路用來設(shè)置適合工作的最佳偏置點(diǎn)。這些放大器通常最適合寬帶低功耗應(yīng)用。自偏置放大器的典型引腳排列參見圖2。

圖2.帶多個(gè)偏置引腳的多級(jí)自偏置放大器的典型引腳排列

自偏置放大器雖然容易使用，但可能無法提供最佳性能，因?yàn)閮?nèi)部阻性偏置電路無法充分補(bǔ)償批次、器件和溫度差異。

外部偏置放大器

在特定偏置條件下，外部偏置放大器提供的性能往往高于自偏置放大器。放大器的靜態(tài)漏極電流會(huì)影響功率壓縮點(diǎn)、增益、噪聲系數(shù)、交調(diào)產(chǎn)物和效率等參數(shù)。對(duì)于這些高性能外部偏置放大器，正確的電源時(shí)序控制對(duì)于確保器件以最佳性能安全工作至關(guān)重要。

圖3顯示了外部偏置放大器引腳和對(duì)應(yīng)晶體管引腳的典型連接。圖3中的引腳映射是放大器的簡(jiǎn)化示意圖。

圖3.外部偏置放大器的典型連接

此外，許多外部偏置放大器通過多級(jí)來滿足增益、帶寬和功率等要求。圖4所示為多級(jí)外部偏置放大器HMC1131的典型框圖。

圖4.HMC1131多級(jí)外部偏置放大器

舉個(gè)栗子：外部偏置放大器的時(shí)序和控制要求

HMC1131是一款砷化鎵(GaAs)、pHEMT單片微波集成電路(MMIC)中功率放大器。工作頻率范圍為24GHz至35GHz。該4級(jí)設(shè)計(jì)提供的典型性能為22dB增益、23dBm輸出功率（1dB壓縮，即p1dB）和27dBm飽和輸出功率(pSAT)，對(duì)應(yīng)的偏置條件為VDD=5V且IDQ=225mA，其中VDD為漏極偏置電壓，IDQ為靜態(tài)漏極電流。HMC1131數(shù)據(jù)手冊(cè)中針對(duì)24GHz至27GHz頻率范圍的電氣規(guī)格表給出了此信息。圖4顯示了HMC1131的引腳連接。

為了實(shí)現(xiàn)225mA的目標(biāo)靜態(tài)漏極電流(IDQ)，應(yīng)將柵極偏置引腳電壓（VGG1和VGG2）設(shè)置在0V到−2V之間。要設(shè)置該負(fù)電壓而不損壞放大器，上電和掉電期間應(yīng)遵守建議的偏置序列。

下面是HMC1131上電期間的建議偏置序列：

連接到地將VGG1和VGG2設(shè)置為−2V將漏極電壓偏置引腳VDD1至VDD4設(shè)置為5V提高VGG1和VGG2以實(shí)現(xiàn)225mA的IDQ施加射頻信號(hào)

下面是HMC1131掉電期間的建議偏置序列：

關(guān)閉射頻信號(hào)降低VGG1和VGG2至−2V以實(shí)現(xiàn)大約0mA的IDQ將VDD1至VDD4降低到0V將VGG1和VGG2提高到0V

當(dāng)柵極電壓(VGGx)為−2V時(shí)，晶體管會(huì)被夾斷。因此，IDQ典型值接近0。

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