BQ40z80是完全集成的2-7節(jié)鋰離子或鋰聚合物電池管理芯片，采用已獲專利的ImpedanceTrack技術(shù)，具備電流、電壓和溫度等全面的可編程保護(hù)功能。其硬件電路設(shè)計(jì)主要分為三個(gè)部分：主電流回路模塊、電量計(jì)模塊和保護(hù)模塊。

1.介紹

BQ40z80是完全集成的2-7節(jié)鋰離子或鋰聚合物電池管理芯片，采用已獲專利的ImpedanceTrack技術(shù)，具備電流、電壓和溫度等全面的可編程保護(hù)功能。其硬件電路設(shè)計(jì)主要分為三個(gè)部分：主電流回路模塊、電量計(jì)模塊和保護(hù)模塊。

2.主電流回路

主電流回路即指在電量計(jì)的控制下對(duì)電池進(jìn)行充電、放電的電流回路。當(dāng)充電時(shí)，該回路的電流從PACK+開始，經(jīng)過用于控制充電和放電的開關(guān)FETs、化學(xué)保險(xiǎn)絲、電池和電流采樣電阻，最終回到PACK-。

2.1充、放電FETs

充、放電的兩個(gè)N-CHFETs以漏極對(duì)接的方式串聯(lián)在PACK+和電池組的正極，如圖2-1所示，Q2、Q3分別是充、放電FET。當(dāng)進(jìn)行充電或放電時(shí)，Q2和Q3同時(shí)導(dǎo)通；當(dāng)充電停止時(shí)，Q2關(guān)斷；當(dāng)放電停止時(shí)，Q3關(guān)斷。

圖2-1充、放、預(yù)充、預(yù)放電MOSFET電路圖

在進(jìn)行FETs選型時(shí)應(yīng)注意以下兩點(diǎn)：（1）FET的額定電壓值必須大于電池的最大電壓；（2）考慮到放電時(shí)負(fù)載端產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)的情況，放電FET的額定電壓值應(yīng)比充電FET稍大。

其驅(qū)動(dòng)信號(hào)CHG和DSG上的柵極驅(qū)動(dòng)電阻典型值分別為1k和4.02k，該阻值不同是由引腳內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的，使FETs的開通時(shí)間在幾毫秒左右；FETs柵源間電阻典型值為10M,以確保柵極開路時(shí)FETs關(guān)斷，避免誤導(dǎo)通現(xiàn)象。

跨接在FTEs兩端的電容C1、C2起到在ESD事件中保護(hù)FETs的作用，其兩端路徑應(yīng)本著盡可能短和寬的設(shè)計(jì)原則，同時(shí)還應(yīng)注意C1和C2的額定電壓都應(yīng)比系統(tǒng)相應(yīng)最大電壓更大，從而達(dá)到在某一個(gè)短路時(shí)另一個(gè)仍能起到保護(hù)作用的效果。

2.2預(yù)充、預(yù)放電FETs

預(yù)充電功能指當(dāng)電池因過度放電、放置過久的自放電等原因?qū)е聝啥穗妷哼^低時(shí)，若直接進(jìn)入正常充電模式易損壞電池或影響電池使用壽命，此時(shí)需使用預(yù)充電功能，以小電流將電池充電至正常電壓范圍內(nèi)后再轉(zhuǎn)換為正常充電模式。它通過對(duì)P-FET的控制實(shí)現(xiàn)，預(yù)充電流的大小通過限流電阻R2=(VCHARGER-VBAT)/R2設(shè)定，同時(shí)兼顧對(duì)電阻上的熱量消耗P=(VCHARGER-VBAT)2/R2的考慮。

預(yù)放電功能是指當(dāng)電池應(yīng)用于較大的電容負(fù)載時(shí)，啟動(dòng)瞬間易產(chǎn)生瞬間沖擊電流，需先以軟起的形式進(jìn)行緩慢充電，從而減小瞬間大電流。如圖1-1所示，來自Pins16、17或20的驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供一個(gè)高電平使N-CHFETQ10導(dǎo)通，從而將預(yù)充電P-CHFETQ8的柵極接入地，使Q8導(dǎo)通，預(yù)充電回路打開，其預(yù)放電速率由限流電路設(shè)定。

2.3防反接保護(hù)

充電器反接會(huì)對(duì)系統(tǒng)造成極大傷害，因此需為此設(shè)計(jì)相應(yīng)的保護(hù)電路，如圖2-2所示。

圖2-2反接保護(hù)電路

若無此保護(hù)，當(dāng)PACK+上出現(xiàn)一個(gè)略小的負(fù)信號(hào)，放電FET將進(jìn)入線性工作區(qū)，影響電路正常工作。但加入防反接電路后，PACK+上的負(fù)信號(hào)會(huì)使柵極接地的N-FETQ9導(dǎo)通，使放電FET的柵源極短路，從而起到保護(hù)作用。在選型時(shí)應(yīng)選擇具有較低Vgs(th)的N-FET，已達(dá)到可靠及時(shí)的保護(hù)效果。

2.4電芯輸入

BQ40z80可以實(shí)現(xiàn)2-7節(jié)鋰電池的管理和保護(hù)。對(duì)于2-6節(jié)的電池，芯片內(nèi)部包含已集成的電壓均衡模塊，只需正常進(jìn)行連接，未使用的Pins短接處理，例如圖2-3所示在5節(jié)串聯(lián)電池的應(yīng)用中需將VC6與VC5短接。同時(shí)，每節(jié)電芯的輸入應(yīng)設(shè)計(jì)一個(gè)RC濾波電路，在起到ESD保護(hù)作用的同時(shí)，也可實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入電壓信號(hào)實(shí)現(xiàn)初步濾波。考慮到該電阻處在電壓均衡回路上，阻值選取應(yīng)在內(nèi)部電壓均衡和濾波頻率間進(jìn)行均衡。

圖2-35節(jié)電芯輸入連接方式

對(duì)于7節(jié)電芯的電池則需進(jìn)行額外的設(shè)置將電壓均衡設(shè)置在外部，其連接方式如圖2-4所示，其中，PinVC7EN使能對(duì)7P的電壓測(cè)量。

圖2-47節(jié)電芯連接方式及其外部電壓均衡模塊

2.5電流采樣電阻

通過由采樣電阻所確定的回路電流值及方向是電量計(jì)的重要輸入信號(hào)。BQ40z80內(nèi)部有一個(gè)用于電流檢測(cè)的集成Delt-sigmaADC，可實(shí)現(xiàn)的測(cè)量范圍是-0.1V到0.1V。通過PinsSRP、SRN檢測(cè)到的采樣電阻兩端的壓降判斷流經(jīng)電池的電流，一方面用于判斷系統(tǒng)處于充電還是放電模式，當(dāng)檢測(cè)到VSR=V(SRP)-V(SRN)為正值時(shí)，系統(tǒng)處于充電狀態(tài)，反之處于放電狀態(tài)；另一方面通過庫倫計(jì)得到的積累電荷是電量計(jì)算的關(guān)鍵參數(shù)之一。

BQ40z80推薦的采樣電阻阻值為1m-3m。對(duì)于大電流的應(yīng)用場(chǎng)合，在確保可靠的開爾文連接的前提下支持并聯(lián)采樣電阻的方案。為防止短路情況下的大電流使電阻兩端電壓值超過PinsSRP、SRN的最大絕對(duì)輸入值0.3V，兩個(gè)100的電阻R36、R37應(yīng)串聯(lián)接入采樣信號(hào)。

圖2-5采樣電阻開爾文連接

綜上，如何確保較高的測(cè)量精度是設(shè)計(jì)采樣電阻時(shí)的關(guān)鍵。應(yīng)注意以下三點(diǎn)：（1）連接方式應(yīng)選擇開爾文連接，如2-5圖所示；（2）電阻選型應(yīng)注意使其溫漂小于50ppm，以減小因溫度變化引起的測(cè)量電流的漂移；（3）設(shè)計(jì)合適的濾波電路以減小噪聲干擾，詳見3.1節(jié)。

3.電量計(jì)

3.1庫倫計(jì)接口

為了提高采樣電流精度，除了對(duì)采樣電阻的處理還可對(duì)輸入信號(hào)的接口電路進(jìn)行設(shè)計(jì)，如圖3-1所示是為減小信號(hào)噪聲而對(duì)采樣信號(hào)設(shè)計(jì)的低通濾波電路。

圖3-1庫倫計(jì)接口低通濾波電路

PinsSRP、SRN兩端分別設(shè)置0.1F的濾波電容C13和C14，以實(shí)現(xiàn)對(duì)100k-100MHz頻率范圍內(nèi)的噪聲的濾除作用，中間跨接的兩個(gè)100pF和0.1F的電容用于濾除高于100MHz的噪聲。以上所有濾波元件都應(yīng)放置在離輸入端盡量近的地方，且采樣電阻兩端信號(hào)到濾波電路的路徑應(yīng)保持平行，最后，在濾波電路周圍鋪滿地平面會(huì)對(duì)更良好的濾波效果有所幫助，如圖3-2所示。

圖3-2庫倫計(jì)接口濾波電路Layout方式

3.2電源管理

BQ40z80的供電系統(tǒng)包括三部分：來自電池的BAT、來自充電器的VCC和內(nèi)部進(jìn)行瞬間供電的PBI，據(jù)工作狀態(tài)的不同對(duì)電源供應(yīng)進(jìn)行管理，如圖3-3所示。

圖3-3BQ40z80供電管理系統(tǒng)

通常，由電池對(duì)設(shè)備進(jìn)行初級(jí)供電，從正極經(jīng)過一個(gè)輸入端肖特基二極管引入至PinBAT，輸入范圍為2.2-32V，該二極管可在因短路引起的暫態(tài)電壓跌落的情況下將設(shè)備與電池迅速隔離開，由所用電池的最大電壓決定，例如24V的電池選擇40V的二肖特基極管。PinVCC作為設(shè)備的第二級(jí)電源輸入，連接在CHG和DSG的FETs共漏極，當(dāng)電池處于電量較低的狀態(tài)，若PACK上有充電器，設(shè)備檢測(cè)到BAT的電壓低于VCC時(shí)，將使用充電器的能量作為電源供應(yīng)。最后，第三級(jí)電源供應(yīng)來自PinPBI，作為暫態(tài)失電的瞬間的能量后備，該引腳通過一個(gè)2.2F的電容接入地，其瞬間的能量來源即該電容上儲(chǔ)存的能量。

3.3系統(tǒng)檢測(cè)

系統(tǒng)檢測(cè)指BQ40z80通過PinPRES*去檢測(cè)PACK是否有充電器或負(fù)載的接入，該引腳通常接入地。設(shè)備內(nèi)部通過一個(gè)典型值為10-20A的電流源在該引腳每秒提供一個(gè)4s的脈沖，為使該測(cè)試脈沖值低于VIL限制，應(yīng)串聯(lián)20k或小于20k的電阻，如圖3-4所示。

圖3-4系統(tǒng)檢測(cè)電路

同時(shí)，由于系統(tǒng)檢測(cè)信號(hào)連接至PACK，為在外部靜電放電時(shí)保護(hù)設(shè)備，BQ40z80的PinPRES*內(nèi)部已有集成ESD保護(hù)，僅需將一個(gè)1k的電阻接入即可實(shí)現(xiàn)8kV的ESD保護(hù)。

3.4內(nèi)部電壓均衡

BQ40z80含有內(nèi)部集成的電壓均衡模塊，可同時(shí)對(duì)每一節(jié)電芯實(shí)現(xiàn)最大10mA的均衡電流以達(dá)到電壓均衡。

如圖3-5所示，以兩節(jié)電芯為例，當(dāng)BQ40z80通過輸入端的電壓采樣判斷出某一節(jié)或多節(jié)電芯的電壓異常時(shí)，將驅(qū)動(dòng)內(nèi)部旁路FETs，使其開通，在單節(jié)電芯的兩端構(gòu)成一個(gè)回路，所形成的旁路電流通過回路上的電阻將電芯兩端異常的電壓以熱的形式消耗掉。因此，回路上的總電阻決定旁路電流的大小，即電壓均衡的強(qiáng)度。

圖3-5內(nèi)部集成電壓均衡模塊

電阻由兩部分構(gòu)成，第一是旁路FETs的導(dǎo)通電阻Rds(on)=200，第二是電芯電壓輸入端的RC濾波電路。所以，每一節(jié)電芯的總旁路電阻為2100+200=400，若按一節(jié)電芯電壓典型值為4V考慮，旁路電流約為10mA。需注意的是，電壓均衡的實(shí)現(xiàn)過程并不是旁路FETs全導(dǎo)通直至均衡完成的過程，而是在每小時(shí)內(nèi)以一定的占空比開啟旁路FETs，對(duì)BQ40z80而言其典型值為75%，該值可通過軟件進(jìn)行修改。此時(shí)，對(duì)一節(jié)容量為2000mAh、SOC異常10%的電池，以占空比D去均衡則所需的時(shí)間t=2000mAh10%/(10mAD)。

3.5外部電壓均衡模塊

BQ40Z80含有內(nèi)部集成的電壓均衡模塊，能同時(shí)對(duì)每一節(jié)電芯實(shí)現(xiàn)最大10mA的均衡電流以達(dá)到電壓均衡。若需要更快速度的電壓均衡能力，則需進(jìn)行外部電壓均衡模塊的設(shè)計(jì)，如圖3-6所示。

外部N-MOSFETs采用具備低柵源驅(qū)動(dòng)閾值電壓Vgs(th)的。考慮到FETs的導(dǎo)通穩(wěn)定性，此處將輸入RC濾波電路中原100的電阻改變?yōu)?k。工作原理如下：當(dāng)BQ40z80控制內(nèi)部旁路FETs導(dǎo)通，形成內(nèi)部旁路回路，其上兩個(gè)1k的電阻和FETs的導(dǎo)通電阻Rds(on)=200構(gòu)成一個(gè)分壓比為0.454的電阻分壓器。考慮一節(jié)電芯的典型電壓范圍為3-4.2V，當(dāng)進(jìn)行單節(jié)電芯的電壓均衡將會(huì)經(jīng)過分壓在電阻上產(chǎn)生一個(gè)1.362-1.907V的電壓信號(hào)，該信號(hào)即外部FETs的柵源驅(qū)動(dòng)電壓，因此N-MOSFETs導(dǎo)通，外部的旁路回路打開，旁路電流大小將由外部回路上的電阻決定，用戶可根據(jù)需求設(shè)置。

圖3-6外部電壓均衡模塊

應(yīng)注意的是外部旁路MOSFET選擇原則是在考慮電路分壓比的情況下使其具備盡量低的Vgs(th)，以實(shí)現(xiàn)成功可靠的驅(qū)動(dòng)，例如DMN2004DWK、NTZD3154N和Si1024X等。更多細(xì)節(jié)可參考應(yīng)用技用文檔，F(xiàn)astCellBalancingUsing

ExternalMOSFET(SLUA420)。

3.6溫度

BQ40z80提供四個(gè)多達(dá)4個(gè)溫度輸入信號(hào)TS1、TS2、TS3和TS4，可同時(shí)用于電池、FETs等的溫度檢測(cè)，可通過軟件配置其檢測(cè)的對(duì)象類型和模式。PinsTS1、TS2、TS3和TS4內(nèi)部都集成了典型值18k的上拉電阻，可支持25℃下10k的NTC熱敏電阻（暫不支持PTC），應(yīng)注意用于電池的溫度檢測(cè)則常采用引線式熱敏電阻，便于貼合電池表面，對(duì)電池溫度達(dá)到更好的監(jiān)控效果。

4針對(duì)大電流場(chǎng)合的應(yīng)用

在一些特殊的應(yīng)用場(chǎng)合，如電動(dòng)車、飛機(jī)等，通常要求的放電電流較高。據(jù)此，以下提供一些關(guān)于如何針對(duì)大電流的應(yīng)用場(chǎng)合對(duì)BQ40z80進(jìn)行電路設(shè)計(jì)的方案可供參考。

4.1FETs及采樣電阻并聯(lián)方案

針對(duì)大電流放電設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)在于如何拓展主電流回路承受電流的能力，即包括該回路上的充放電FETs和電流采樣電阻。當(dāng)要求FETs通過較大電流時(shí)，考慮到散熱壓力及MOS的額定電流，推薦使用并聯(lián)MOS方案。在選型時(shí)，首先應(yīng)考慮驅(qū)動(dòng)能力的限制而選取具備盡量小的Qg的開關(guān)管，同時(shí)兼顧大電流導(dǎo)通情況下散熱和損耗壓力而選擇具備盡量小的Rds(on)的開關(guān)管。但對(duì)于并聯(lián)MOS易于產(chǎn)生的均流問題還需進(jìn)行額外的考慮，如Layout時(shí)在盡量使其驅(qū)動(dòng)信號(hào)位置平行。

針對(duì)電流采樣電阻，BQ40z80本身是支持并聯(lián)方案的。在選型時(shí)，應(yīng)結(jié)合所需求的電流值和PinsSRP、SRN的輸入電壓范圍的考慮去選取合適的電阻值。同時(shí)，出于散熱考慮對(duì)額定功率和封裝的選擇建議留有一定裕量。例如實(shí)現(xiàn)對(duì)100A電流的采樣，選取兩個(gè)1m、額定功率3W、2512封裝的電阻。但出于對(duì)于電流采樣精度的考慮，并聯(lián)方案下對(duì)保障可靠的開爾文連接是至關(guān)重要的。

4.2并聯(lián)驅(qū)動(dòng)能力解決方案

顯然，并聯(lián)MOS方案存在的最大問題就是IC驅(qū)動(dòng)能力有限制，BQ40z80的PinsCHG、DSG的驅(qū)動(dòng)最大輸出負(fù)載能力約為10A，可參考該值及MOS的輸入電容、導(dǎo)通電阻等對(duì)其驅(qū)動(dòng)能力進(jìn)行衡量。針對(duì)該問題有如下兩個(gè)解決方向：

第一，在BQ40z80的PinsCHG、DSG能力范圍內(nèi)去選擇Qg值滿足可成功驅(qū)動(dòng)、Rds(on)滿足和散熱需求的MOSFET，但需注意的是，普遍而言，這兩個(gè)值具備一個(gè)相反的關(guān)系，需要進(jìn)行衡量。另外，此時(shí)MOS開通時(shí)間會(huì)相應(yīng)變長。例如若選取CSD18510Q5B，Qg=118nC，Rds(on)=0.79m（Vgs=10V），在以3個(gè)并聯(lián)的方式使用時(shí)，導(dǎo)通時(shí)間約14ms。

第二，當(dāng)MOS的驅(qū)動(dòng)需求超出BQ40z80的驅(qū)動(dòng)能力或?qū)﹂_通時(shí)間有更高的要求的時(shí)候，可采用以下2種方式通過外加器件的設(shè)計(jì)增強(qiáng)電路驅(qū)動(dòng)能力：

（1）在PinsCHG、DSG的輸出增加一個(gè)額外的三極管去增強(qiáng)其驅(qū)動(dòng)能力，如圖4-1所示，但此時(shí)需增加一個(gè)額外的輸出值高于Vbat大約10V左右的DC-DC去完成三極管的電源供應(yīng)，上拉電阻阻值也應(yīng)根據(jù)MOS驅(qū)動(dòng)電流的需求設(shè)計(jì)。

圖4-1BQ40z80及三極管驅(qū)動(dòng)電路

（2）增加高側(cè)N通道FET驅(qū)動(dòng)器BQ76200（BQ76200）去增強(qiáng)其驅(qū)動(dòng)能力，如圖4-2所示，該設(shè)計(jì)下將避免加額外的DCDC的需求，BQ40z80的PinsCHG和DSG的輸出信號(hào)不再直接驅(qū)動(dòng)MOS，而是作為BQ76200的使能輸入，使用后者去驅(qū)動(dòng)MOS，從而解決驅(qū)動(dòng)能力不足的問題。

圖4-2BQ40z80及BQ76200驅(qū)動(dòng)電路

選擇該設(shè)計(jì)方案時(shí)應(yīng)需注意，BQ40z80的PinsCHG和DSG的輸出電平分別以Vbat和PACK+作為基準(zhǔn)，而BQ76200的使能輸入是以VSS作為基準(zhǔn)，兩者之間的電壓等級(jí)并不匹配，所以需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。對(duì)于BQ9006驅(qū)動(dòng)輸出的高電平，需要使用一個(gè)電阻分壓器R1、R2對(duì)BQ40z80的輸出電壓進(jìn)行變換，使其符合BQ76200的使能輸入范圍。同時(shí)，對(duì)于BQ006輸出的低電平，需通過一個(gè)P-FET確保只有當(dāng)PinCHG的輸出高于Vbat時(shí)，P-FET導(dǎo)通，BQ76200才會(huì)通過電阻分壓器得到的使能輸入，避免誤導(dǎo)通現(xiàn)象。P-FET的選取原則是其Vgs(th)約為10V左右，與PinCHG的驅(qū)動(dòng)輸出相對(duì)應(yīng)。

其次，還需關(guān)注電阻分壓器的阻值選取，考慮到PinCHG的輸出電流能力極限約為10A，輸出電壓約為Vbat+10V，R1、R2的總阻值應(yīng)限制電流在其能力范圍內(nèi)。同時(shí)，也應(yīng)考慮BQ76200的使能輸入PinCHG_EN內(nèi)部含有的一個(gè)典型值約為1M的下拉電阻對(duì)分壓值的影響。

在實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)上，需對(duì)BQ76200在并聯(lián)方案下的電路進(jìn)行進(jìn)一步設(shè)計(jì)。首先，BQ76200除了支持充放電FETs串聯(lián)連接，還支持充電和放電分為兩個(gè)單獨(dú)的回路，即充放電FETs并聯(lián)的連接方式。當(dāng)應(yīng)用場(chǎng)合放電和充電的電流等級(jí)相差較大，可考慮分別設(shè)計(jì)充電和放電回路，這樣的設(shè)計(jì)可以有效減少充電FETs的數(shù)量。確定何種連接方式后，應(yīng)根據(jù)所使用FETs具體情況計(jì)算其PinVDDCP上的電容值，更多細(xì)節(jié)可參考技術(shù)應(yīng)用手冊(cè)FETConfigurationsforthebq76200High-SideN-ChannelFETDriver(SLVA729A)。

5參考電路圖