1引言許多電子系統都要開關電源。開關電源的電路多種多樣，其中已有許多采用控制芯片。控制芯片只要再外接一些器件即可組成開關電源，從而大大簡化了電路設計。FA5310是日本富士電機公司的產品，它具有多種保護功能，外接電路簡單，有很大的實用價值。FA5310具有以下特點：可直接驅動功率MOSFET（I0＝±1．5A）；寬工作頻率范圍（5～600kHz）；具有逐個脈沖過流限制功能；有過載切斷功能（可選用鎖定或無保護模式）；可用外部信號控制輸出ON／OFF；有過壓切斷功能（鎖定模式中）和欠壓誤動作保護功能（16V時導通，8．7V時關斷）；等待電流低（90μA）；占空比為Dmax＝46％，可用于正激和反激電路。圖1為FA5310的引腳排列圖。表1所列為各引腳的功能說明。

2工作原理FA5310的工作原理如下。2．1振蕩器振蕩器通過電容充放電出現三角波。CT腳的電壓在約3．0V到1．0V的范圍內振蕩。振蕩頻率由1腳和7腳的外接時基電阻RT和時基電容CT決定。如下式：式中，f的單位為kHz，RT為kΩ，CT的單位為pf。

2．2pWM比較器pWM比較器有四個輸入端（如圖2所示）。其中振蕩器輸出（1）與CS腳電壓（2）、FB腳電壓（3）及DT電壓（4）作比較。若（2）（3）（4）腳的最小值比（1）腳低，則pWM比較器輸出為高電平，IC輸出為低電平；否則pWM比較器輸出為低電平，IC輸出為高電平。圖3為pWM比較器時序圖。當IC加上電源后，可用CS腳電壓控制軟啟動工作，輸出脈沖逐漸

變寬。在正常工作時，輸出脈寬取決于最大占空比Dmax、DT電壓及FB腳電壓。2．3CS腳電路CS腳可用于軟啟動工作、過載及過壓輸出關斷和輸出的ON／OFF控制。（1）軟啟動功能當電源開通時，10μA的恒流源開始給電容Cs充電。CS腳電壓因充電而緩慢上升。因而pWM比較器的輸出脈沖也緩慢變寬。軟啟動時間可近似地從IC啟動到輸出脈沖變寬30％的時間來估算。軟啟動時間由下式給出：ts（ms）＝160Cs（μF）（2）過載關斷假如輸出電壓由于過載或短路而下降，FB腳的電壓將上升。假如FB腳電壓超過比較器C3的參考電壓（2．8V），C3的輸出為低電平，將使晶體管Q關斷。在正常工作時，晶體管Q是開通的。CS腳被穩壓管Zn箝在3．6V。該穩壓管的最大擊穿電流為65μA。當Q關斷時，箝制解除，10μA的恒流源開始給電容CS充電，CS腳電壓上升。當CS腳電壓超過比較器C2的參考電壓（7．0V）時，C2的輸出為高電平，從而使偏置電路關斷。這樣，IC就進入了鎖定模式并關斷輸出，關斷電流的消耗為400μA（Vcc＝9V）。此電流必須通過啟動電阻供應。而此時IC給MOSFET柵極開始放電。將電源電壓Vcc降至8．7V以下或將CS腳電壓強制降到7．0V時可以使電路重新啟動。從輸出短路到關斷偏置電路的時間周期tOL由下式給出：tOL（ms）＝340Cs（μF）（3）輸出ON／OFF控制假如在電容Cs旁并聯一個三極管，并通過控制三極管的導通和截止來控制CS腳電壓，即可控制IC的導通或關斷。假如三極管導通，CS腳電壓降到0．42V以下，C1比較器輸出高電平使偏置電路關斷，從而使IC輸出關斷，IC給MOSFET柵極放電。假如三極管截止，Cs又開始充電，IC開始軟啟動。電源又重新開始工作。2．4過流限制電路過流限制電路通過檢測主開關MOSFET漏極電流的逐個脈沖的峰值來限制過流。檢測的閾值電壓是＋0．24V。MOSFET漏極電流被電阻R2（見圖4）轉換成電壓并反饋到IS腳。假如電壓超過比較器C4的參考電壓（0．24V），則C4輸出為高電平，RS觸發器的輸出Q亦為高電平，則輸出腳迅速關斷電流。RS觸發器的輸出Q在振蕩器的下一個周期被復位，使輸出端又開始工作。這個工作重復用來限制過流。假如過流限制因噪聲而出現動作，可在IS腳和MOSFET之間接一個RC濾波器。2．5欠壓鎖定電路在電源下降時，IC中的欠壓鎖定電路能阻止IC誤動作。當電源電壓從0V開始上升，IC在Vcc＝16．0V時開始工作。當電源電壓下降到Vcc＝8．7V時，IC關斷輸出。當欠壓鎖定電路工作時，CS腳電壓變低，使IC復位。2．6輸出電路IC的推挽輸出可直接驅動MOSFET。OUT腳的電流可達1．5A。在欠壓鎖定電路工作時，假如IC停止工作，MOSFET柵壓降低，MOSFET被關斷。

3應用電路及設計考慮圖5為FA5310的應用電路。從電源開通到IC啟動的時間由R1和C5確定。假如它們太大，電路起動就較慢。R1必須根據下式來確定。考慮到電路關斷時的電流為400μA（在cc＝9V時）：R1＜｛VAC（2）1／2／π－9｝／400AC為交流輸入電壓。IC供電電路在起動時，由電源通過R1供電，但電流較小。電路正常工作以后，由變壓器的饋電繞組經二極管ERA91－02整流后給IC供電，這樣既可保證IC要求的電流。又可省掉輔助源。MOSFET因為要承受電源兩倍的峰壓、電網的波動以及浪涌電壓，所以關于220V的電網電壓，MOSFET的耐壓最好應在800V以上。MOSFET漏極上的RCD電路為復位電路，而源－漏極間的RC電路用來抑制浪涌電壓。在變壓器次級，當輸出電壓瞬間比5V高得多時，光耦pC1導通，使FB端短接地，IC暫停輸出，從而使電路輸出保持平穩。