大家都知道，對(duì)于開關(guān)電源，在次級(jí)必然要有一個(gè)整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向?qū)щ娞匦裕梢岳斫鉃橐环N被動(dòng)式器件：只要有足夠的正向電壓它就開通，而不需要另外的控制電路。但其導(dǎo)通壓降較高，快恢復(fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可達(dá)1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降。

整流二極管

這個(gè)壓降完全是做的無用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個(gè)例子：如有一個(gè)管子壓降為0.7V，其整流為12V時(shí)它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當(dāng)其為3.3V整流時(shí)，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導(dǎo)致電源效率降低，損耗產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致整流管進(jìn)而開關(guān)電源的溫度上升、機(jī)箱溫度上升--------有時(shí)系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個(gè)高溫所賜。

隨著電腦硬件技術(shù)的飛速發(fā)展，如GeForce8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流（如某品牌600W電源，四路12V，每路16A；3.3V和5V輸出電流各高達(dá)24A）的電源轉(zhuǎn)換器。

而當(dāng)前世界的能源緊張問題的凸現(xiàn)，提供更高轉(zhuǎn)換效率的電源轉(zhuǎn)換器成了整個(gè)開關(guān)電源行業(yè)的不可回避的社會(huì)責(zé)任了。

如何解決這些問題？尋找更好的整流方式、整流器件。

肖特基二極管

同步整流技術(shù)和通態(tài)電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個(gè)時(shí)刻走上開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的歷史舞臺(tái)了。作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線性關(guān)系。因?yàn)橛霉β蔒OSFET做整流器時(shí)，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動(dòng)式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過，這種復(fù)雜的控制要求得到的回報(bào)就是極小的電流損耗。

在實(shí)際應(yīng)用中，一般在通過20-30A電流時(shí)才有0.2-0.3V的壓降損耗。因?yàn)槠鋲航档扔陔娏髋c通態(tài)電阻的乘積，故小電流時(shí)，其壓降和恒定壓降的肖特基不同，電流越小壓降越低。這個(gè)特性對(duì)于改善輕載效率（20%）尤為有效。這在80PLUS產(chǎn)品上已成為一種基本的解決方案了。

功率MOSFET

對(duì)于以上提到的兩種整流方案，我們可以通過灌溉農(nóng)田來理解：

肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。

而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點(diǎn)點(diǎn)被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召囈陨娴募Z食。