太陽能電池生產(chǎn)工藝近些年來，全世界生產(chǎn)應(yīng)用最多的太陽能電池是由單晶硅太陽能電池和多晶硅太陽能電池構(gòu)成的晶體硅太陽能電池，其產(chǎn)量占到當(dāng)前世界太陽能電池總產(chǎn)量的90％以上。它們工藝技術(shù)成熟，性能穩(wěn)定可靠，光電轉(zhuǎn)換效率高，使用壽命長(zhǎng)，已進(jìn)人工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。因此，本節(jié)對(duì)地面用晶體硅太陽能電池的一般生產(chǎn)制造工藝進(jìn)行介紹。晶體硅太陽能電池生產(chǎn)制造工藝包括的內(nèi)容范圍有寬狹之分。寬的內(nèi)容范圍，包括硅材料的制備、太陽能電池的制造和太陽能電池組件的封裝三個(gè)部分。狹的內(nèi)容范圍，僅包括太陽能電池的制造。下面按照寬的內(nèi)容范圍加以介紹，即不但包括太陽能電池的制造，還包括硅材料的制備和太陽能電池組件的封裝。硅材料的制備(一)高純多晶硅的制備(二)單晶硅錠的制備．單晶硅錠的制備方法很多，可從熔體上生長(zhǎng)，也可從氣相中沉積。目前國(guó)內(nèi)外在生產(chǎn)中采用的主要有熔體直拉法和懸浮區(qū)熔法兩種。(三)多晶硅錠的制備多晶硅太陽能電池是以多晶硅為基體材料的太陽能電池。它的出現(xiàn)主要是為了降低晶體硅太陽能電池的成本。其主要優(yōu)點(diǎn)有：能直接拉制出方形硅錠，設(shè)備比較簡(jiǎn)單，并能制出大型硅錠以形成工業(yè)化生產(chǎn)規(guī)模，材質(zhì)電能消耗較省，并能用較低純度的硅作投爐料；可在電池工藝方面采取措施降低晶界及其他雜質(zhì)的影響。其主要缺點(diǎn)是生產(chǎn)出的多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率要比單晶硅電池稍低。多晶硅的鑄錠工藝主要有定向凝固法和澆鑄法兩種。(四)片狀硅的制備片狀硅又稱硅帶，是從熔體中直接生長(zhǎng)出來，可以大為減少切片的損失，片厚約100200~m。主要生長(zhǎng)方法有限邊喂膜(EFG)法、枝蔓蹼狀晶(WEB)法、邊緣支撐晶(ESP)法、小角度帶狀生長(zhǎng)法、激光區(qū)熔法和顆粒硅帶法等。其中枝蔓蹼狀晶法和限邊喂膜法比較成熟。枝蔓蹼狀晶法，是從坩堝里長(zhǎng)出兩條枝蔓晶，由于表面張力的作用，兩條枝晶中間會(huì)同時(shí)長(zhǎng)出一層薄膜，切去兩邊的枝晶，用中間的片狀晶來制作太陽能電池。由于硅片形狀如蹼狀，所以稱為蹼狀晶。它在各種硅帶中質(zhì)量最好，但生長(zhǎng)速度相對(duì)較慢。限邊喂膜法，是從特制的模具中拉出筒狀硅，然后用激光切割成單片來制作太陽能電池。目前已能拉出每面寬10cm的10面體筒狀硅，厚度達(dá)300μm。它是目前投入研發(fā)最多的硅帶，產(chǎn)量已達(dá)4MW級(jí)。近期硅帶的研發(fā)目標(biāo)，是制出125mmXl25mm的硅片，將厚度降至250μm左右。用限邊喂膜法進(jìn)行大批量生產(chǎn)時(shí)，應(yīng)滿足的主要技術(shù)條件為：①采用自動(dòng)控制溫度梯度、固液交界的新月形的高度及硅帶的寬度等，以有效地保證晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定性。②在模具對(duì)硅料的污染方面進(jìn)行控制。從總體上來說，硅帶生長(zhǎng)方法目前仍在進(jìn)一步研究試驗(yàn)中，僅建立了少數(shù)中試生產(chǎn)線，尚未投入大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。(五)太陽能級(jí)硅的研發(fā)．快速發(fā)展的晶體硅太陽能電池的生產(chǎn)與應(yīng)用，使硅材料的需要量劇增，耗量巨大。按我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在的生產(chǎn)技術(shù)水平，生產(chǎn)1MW硅太陽能電池約需15t硅材料，如果我國(guó)到2010年生產(chǎn)IOOMW硅太陽能電池，考慮到屆時(shí)可將硅片的厚度降到200～250μm左右，則將需耗用1000t左右硅材料，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于我國(guó)硅材料的供應(yīng)能力。因此，必須未雨綢繆，下大力氣研究解決硅材料的生產(chǎn)供應(yīng)問題。研發(fā)生產(chǎn)太陽能級(jí)硅是重要的解決途徑。所謂“太陽能級(jí)硅”并無精確的定義，由于冶金級(jí)硅的雜質(zhì)含量太高，影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率，如設(shè)法將其用簡(jiǎn)單的化學(xué)或物理方法提純，使之能夠用于制造太陽能電池，則將大大降低電池的成本，這種硅就稱之為“太陽能級(jí)硅”。一般認(rèn)為，能夠制造出光電轉(zhuǎn)換效率10％電池的廉價(jià)硅材料，即可稱之為“太陽能級(jí)硅”。而能用于制造集成電路的硅，則稱之為“電路級(jí)硅”。為探索各種不同雜質(zhì)原子對(duì)太陽能電池效率的影響，科研人員花費(fèi)了大量精力進(jìn)行研究實(shí)驗(yàn)，已取得如下成果：①鉭、鉬、鈮、鋯、鎢、鈦、釩等元素，在濃度1013—1014／cm3即對(duì)電池效率產(chǎn)生很大影響。②鎳、鋁、鈷、鐵、錳、鉻等元素，則要在濃度1015／cm3以上時(shí)才對(duì)電池效率有影響。③而磷和銅在濃度高達(dá)1018／cm2時(shí)才對(duì)電池的效率有少量影響。(六)硅片的加工硅片的加工，是將硅錠經(jīng)表面整形、定向、切割、研磨、腐蝕、拋光、清洗等工藝，加工成具有一定直徑、厚度、晶向和高度、表面平行度、平整度、光潔度，表面無缺陷、無崩邊、無損傷層，高度完整、均勻、光潔的鏡面硅片。硅片加工的一般工藝流程，如圖11所示。這一流程也包括了太陽能電池制造階段硅片的表面處理工序，在連續(xù)生產(chǎn)中可以歸并。將硅錠按照技術(shù)要求切割成硅片，才能作為生產(chǎn)制造太陽能電池的基體材料。因此，硅片的切割，即通常所說的切片，是整個(gè)硅片加工的重要工序。所謂切片，就是錠通過鑲鑄金剛砂磨料的刀片(或鋼絲)的高速旋轉(zhuǎn)、接觸、磨削作用，定向切割成為要求規(guī)格的硅片。切片工藝技術(shù)直接關(guān)系到硅片的質(zhì)量和成品率。對(duì)于切片工藝技術(shù)的原則要求是：①切割精度高、表面平行度高、翹曲度和厚度公差小。②斷面完整性好，消除拉絲、刀痕和微裂紋。③提高成品率，縮小刀(鋼絲)切縫，降低原材料損耗。④提高切割速度，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化切割。切片的方法目前主要有外圓切割、內(nèi)圓切割、多線切割以及激光切割等。目前工業(yè)生產(chǎn)中較多采用的切割方法之一是內(nèi)圓切割。它是用內(nèi)圓切割機(jī)將硅錠切割成0．3～0．4mm的薄片。其刀體的厚度為0．1mm左右，刀刃的厚度為0．20～0．25mm，刀刃上黏有金剛砂粉。在切割過程中，每切割一片，硅材料約有0．3～0．35mm的厚度損失，因此硅材料的利用率僅為40％～50％左右。內(nèi)圓切割刀片的示意圖，如圖12所示。內(nèi)圓式切割機(jī)的切割方法，可分成圖13所示4類：(a)刀片水平安裝，硅料水平方向送進(jìn)切割；(b)刀片垂直安裝，硅料水平方向送進(jìn)切割；(c)刀片垂直安裝，硅料垂直方向送進(jìn)切割；(d)刀片固定，硅片垂直方向送進(jìn)切割。采用多線切割機(jī)切片是當(dāng)前最為先進(jìn)的切片方法。它是用鋼絲攜帶研磨微粒完成切割工作。即將lOOkm左右鋼絲卷置于固定架上，經(jīng)過滾動(dòng)碳化硅磨料切割硅片。此法具有切片質(zhì)量高、速度快、產(chǎn)量大、成品率高、材料損耗少(切損只有0．2～0．22mm)、可切割更大更薄(0．2mm)的片以及成本低等特點(diǎn)，適宜于大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)。典型瑞士多線切割機(jī)的生產(chǎn)能力為可同時(shí)加工4組125mmXl25mmX520mm的硅錠，用時(shí)約3．15h，可切片4160片，片子目前平均厚度為325pm(可更薄)，切割刃口窄，比一般內(nèi)圓式切割機(jī)可節(jié)約硅材料約1／4左右。選用制造太陽能電池硅片應(yīng)考慮的主要技術(shù)原則有如下各項(xiàng)：①導(dǎo)電類型在兩種導(dǎo)電類型的硅材料中，p型硅常用硼為摻雜元素，用以制造n+／p型硅電池；n型硅用磷或砷為摻雜元素，用以制造P+／n型硅電池。這兩種電池的各項(xiàng)參數(shù)大致相當(dāng)。目前國(guó)內(nèi)外大多采用p型硅材料。為降低成本，兩種材料均可選用。②電阻率硅的電阻率與摻雜濃度有關(guān)。就太陽能電池制造而言，硅材料電阻率的范圍相當(dāng)寬，從0．1～50Ω·cm甚至更大均可采用。在一定范圍內(nèi)，電池的開路電壓隨著硅基體電阻率的下降而增加。在材料電阻率較低時(shí)，能得到較高的開路電壓，而短路電流略低，但總的轉(zhuǎn)換效率較高。所以，地面應(yīng)用宜于使用0．5～3．oΩ·cm的硅材料。太低的電阻率，反而使開路電壓降低，并導(dǎo)致填充因子下降。③晶向、位錯(cuò)、壽命太陽能電池較多選用(111)和(110)晶向生長(zhǎng)的硅材料。對(duì)于單晶硅電池，一般都要求無位錯(cuò)，和盡量高的少子壽命。④幾何尺寸主要有?50mm、?70mm、?100mm、?200mm的圓片和lOOmmXlOOmm、125mmX125mm、150mmXl50mm的方片。硅片的厚度目前已由早先的300～450?m降為當(dāng)前的200—350mm。