在“PVJapan2014”上，日本大阪大學產業科學研究所的研究員江村修一等人提出了倒霉用pn結的新原理的太陽能電池方案。理想環境下，這種太陽能電池的轉換效率有望到達70～80％。

新原理的思路是，利用晶體內的極性，也便是自覺極化引發的內部電場梯度來疏散激子（成對的電子與空穴）。太陽能電池常用的質料Si沒有極性，但不少化合物的晶體都具有強極性。當這些質料在內部電場梯度的作用下汲取光子生成激子后，電子與空穴將自覺性地疏散至差異偏向。根據具體假想，太陽能電池元件的布局是在InN層與電極之間夾入300nm～350nm厚、帶隙為0.92eV的InGaN層。

對付一樣平常的太陽能電池，疏散激子、使電子與空穴分別轉移到差異電極是由pn結來完成的。而江村表現，只利用內部電場梯度疏散激子具有許多好處，此中最大的好處是可以大概淘汰電子與空穴的復合和熱弛豫。

舉例來說，一樣平常的Si類太陽能電池為了提升光汲取率，僅活性層每每就到達數十μm乃至更厚。這使得大多數波長短、能量高的光子在遠離pn結的地方就變成“熱激子”，在抵達pn結疏散成電子和空穴之前，就已經因復合和熱弛豫而孕育產生喪失。

已往的單結太陽能電池存在的問題是，波長短于帶隙的光因熱弛豫而喪失，而波長較長的光會產生透射，無法有效利用。這種征象被稱作“Shockley-Queisserlimit”，干系到單結太陽能電池的最大性能。

而這次提出的新型太陽能電池的光活性層利用的InGaN的厚度為300nm～350nm。據江村介紹，InGaN差異于Si，屬于直接遷移型，光汲取率高，“只需100nm左右的厚度就能汲取照射光芒的1/2”，300nm則可汲取大部門的光芒。相對付載流子的壽命，該層到電極的距離也比力短。因此“沒有聲子散射，也不產生熱弛豫”。這就消除了決定“Shockley-Queisserlimit”的兩大喪失緣故原由中的一個。

紅外線等長波長電磁波的透射喪失依然存在。但是，議決控制InGaN中In的因素，使帶隙縮小到0.92eV后，無法利用的紅外線的能量比可以低沉到陽光團體的10％。

江村表現，雖然思量到這10％和光反射等造成的喪失，也可以使團體喪失低沉到20～30％。換言之，在理想環境下，可以大概實現轉換效率為70～80％的太陽能電池。

但制止當下，這種太陽能電池還停頓在理論過程。江村表現，“以后就要實際制作元件并舉行評估”。